三星电子在全球率先量产“超高速NAND”

    本报讯（记者周明喜）日前，记者从三星电子得知，从本月起三星电子将在全球率先量产采用“ToggleDDR2.0”标准的20纳米级(1纳米:十亿分之一米)超高速MLCNANDFlash，今后NANDFlash全线产品将采用“ToggleDDR2.0”。

    记者了解到，这是三星电子继2009年全球率先量产利用133Mbp传输速度启动的30纳米级32GbToggleDDR1.0MLCNANDFlash之后，今年再次于全球率先量产400Mbps传输速度的64GbToggleDDR2.0MLCNANDFlash新品。

    据悉，ToggleDDR2.0NANDFlash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NANDFlash快10倍。有分析认为，ToggleDDR2.0NANDFlash的推出，有望扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，通过应用新一代规格，ToggleDDR2.0或将主导整个NANDFlash市场的高速发展。

    记者获知，目前20纳米级64GbMLCNANDFlash，不仅生产效率上比去年4月全球率先量产的20纳米级32GbMLCNANDFlash提高了50%以上，而且成本竞争力也比30纳米级32GbMLCNANDFlash提高了2倍以上。

    三星电子半导体事业部存储战略营销部负责人洪完勋副董事长说，“通过这次20纳米级64Gb高速NANDFlash的量产，三星电子将主导高速增长中的4G超高速智能手机甚至大容量6.0GbpsSSD市场”，洪完勋也表示，“今后三星还将适时推出更快的大容量下一代ToggleDDRNANDFlash和解决方案，让消费者能够在更高速的移动设备上尽情体验各种各样的服务”。

    根据市场调查机构预测，截至2015年，NANDFlash内存以2010年数量为基准有望实现年均54%的增长速度，64Gb以上的产品比重也将从2010年的3%大幅提高到2012年的70%，实现飞跃增长。