三星电子高性能32GB 3bit存储卡实现量产

    本报讯 日前，三星电子称，为了满足快速发展的智能手机及日渐热门的大容量便携式电子设备市场，将从本月起量产业界首款高性能32GB(gigabyte)microSD存储卡。

    据悉，这是继去年2月三星电子在行业内首次量产采用30纳米级（1纳米相当于10亿分之一米）32Gb(bit)3bitNAND芯片的32GBmicroSD产品后，今年再次率先量产采用20纳米级3bitNANDFlash技术平台，创造出同等规格中最高技术水平的CLASS10(10MB/秒)32GBmicroSD，从而进一步扩大了产品阵容。

    记者了解到，新产品收纳了20纳米级3bitNANDFlash和三星独自设计的3bit专用控制器，三星的32GBmicroSD卡的速度也提高了两倍，与现有的30纳米级3bitNANDFlashClass432GBmicroSD(最快写入速度每秒7MB)相比，写入及读取速度分别提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量与高性能特别适用于4G智能手机。

    此外，三星电子产品生产效率提升了30%之多，大大提高了产品竞争力。有专家称，由于三星半导体的技术优势和产品竞争力，目前，三星在32GB以上大容量存储市场的占有率在不断扩大，预计从2010年到2012年，三星半导体的市场占有率将由11%提升到23%。       （明喜）